據(jù)BusinessKorea報(bào)道，三星電子已經(jīng)規(guī)劃了未來三年3nm環(huán)繞柵極工藝的技術(shù)，并尋求在2025年量產(chǎn)2 nm GAA工藝。

根據(jù)消息顯示，GAA是下一代工藝技術(shù)，它改進(jìn)了半導(dǎo)體晶體管的結(jié)構(gòu)，使柵極可以接觸晶體管的所有四個(gè)側(cè)面，而不是現(xiàn)在FinFET工藝中的三個(gè)側(cè)面GAA結(jié)構(gòu)可以比FinFET工藝更精確地控制電流

三星電子正押注于將GAA技術(shù)應(yīng)用于3 nm工藝，以趕上TSMC據(jù)報(bào)道，三星在6月初將晶圓放入3 nm GAA工藝進(jìn)行試產(chǎn)，成為全球首家使用GAA技術(shù)的公司它正尋求通過技術(shù)飛躍立即縮小與TSMC的差距與5納米工藝相比，3納米工藝的半導(dǎo)體性能和電池效率分別提高了15%和30%，芯片面積減少了35%

此外，TSMC此前宣布3nm工藝將于2022年量產(chǎn)，而TSMC則首次推出了采用納米晶圓晶體管架構(gòu)的2nm工藝，將于2025年量產(chǎn)。