，據(jù) BusinessKorea 的報(bào)道，三星已經(jīng)設(shè)定了目標(biāo)，即在今年 6 月前完成 11 納米的第六代 1c DRAM 芯片的開(kāi)發(fā)據(jù)說(shuō)該公司已經(jīng)要求其研究人員停止或跳過(guò) 1b DRAM 的開(kāi)發(fā)，這是一種 12 納米芯片

此前有消息稱，三星已經(jīng)中斷了 12—13nm 工藝級(jí)別內(nèi)存研發(fā)，表示三星 13nm 級(jí)別的內(nèi)存被間接承認(rèn)失敗。

報(bào)道稱，三星希望擴(kuò)大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)差距，這些競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括 SK 海力士和美光科技此外，這并不是三星第一次放棄 DRAM 的某些開(kāi)發(fā)階段而向更高層次發(fā)展此前，三星放棄了 28 納米 DRAM 的大規(guī)模生產(chǎn)，專注于生產(chǎn) 25 納米 DRAM

業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，對(duì)三星來(lái)說(shuō)，生產(chǎn) 11 納米 DRAM 并不是一件容易的事，因?yàn)檫@需要先進(jìn)的技術(shù)可是，據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，三星希望找到一種方法，該公司在 1c DRAM 完成之前面臨著巨大的開(kāi)發(fā)壓力，因?yàn)槠湓?1a DRAM 的量產(chǎn)方面落后于其兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手

本站了解到，內(nèi)存工藝在 20nm 節(jié)點(diǎn)之后就有不同斷代方法，之前用的是 1x，1y，1z，后來(lái)又有了 1a，1b，1c 工藝，不過(guò)三星，SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭的實(shí)際工藝也不完全是這樣，有時(shí)公布的還是數(shù)字 + nm 命名。SK海力士還表示，“短期內(nèi)DRAM市場(chǎng)存在高度不確定性?！盨K海力士還推動(dòng)了以盈利為中心的運(yùn)營(yíng)，而不是通過(guò)規(guī)模經(jīng)濟(jì)來(lái)爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額。。