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三星電子預(yù)計(jì)5年內(nèi)將在芯片代工領(lǐng)域超過主要競(jìng)爭對(duì)手臺(tái)積電

時(shí)間:2023-05-06 12:09:57 來源:TechWeb 閱讀量:19718

,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子預(yù)計(jì)5年內(nèi)將在芯片代工領(lǐng)域超過其主要競(jìng)爭對(duì)手臺(tái)積電。

三星是世界上最大的存儲(chǔ)芯片制造商,也是第二大代工芯片制造商,它正與全球最大的代工企業(yè)臺(tái)積電展開競(jìng)爭。

如今,三星正努力在芯片代工制造領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位,而臺(tái)積電早已確立了自己作為全球領(lǐng)先代工芯片制造商的地位。

雖然三星電子在先進(jìn)制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間上基本能跟上臺(tái)積電的節(jié)奏,但它在代工市場(chǎng)上的份額與臺(tái)積電相比有明顯差距,后者長期占據(jù)超過50%的市場(chǎng)份額。

三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Siyoung Choi表示,臺(tái)積電在芯片制造方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于三星。他認(rèn)為,三星需要五年時(shí)間才能趕上并超過臺(tái)積電。

據(jù)悉,三星電子領(lǐng)先其競(jìng)爭對(duì)手臺(tái)積電,率先開始量產(chǎn)3納米芯片,這使其成為全球第一家量產(chǎn)3納米芯片的代工廠。

與臺(tái)積電的3納米制程工藝不同,三星的3納米制程工藝采用的是更先進(jìn)的GAA晶體管,而不是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

外媒稱,三星電子計(jì)劃通過在3納米制程工藝上采用GAA晶體管,縮小其與臺(tái)積電的技術(shù)差距。該公司認(rèn)為,隨著它和臺(tái)積電推出下一代2納米制程工藝,它可以在5年內(nèi)超過臺(tái)積電。



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